O le Iunaite Setete o loʻo atiaʻe mea semiconductor faʻatasi ai ma le maualuga o le faʻavevelaina o le vevela e taofia ai le faʻavevelaina o pu.
Faatasi ai ma le faateleina o le numera o transistors i totonu o le pu, o loʻo faʻaauau pea ona faʻaleleia le faʻaogaina o le komepiuta, ae o le maualuga maualuga e maua ai foi le tele o nofoaga vevela.
A aunoa ma le talafeagai o tekinolosi pulega vevela, faʻaopoopo i le faʻagesegese o le saoasaoa o le gaioiga o le gaioiga ma le faʻaitiitia o le faʻatuatuaina, o loʻo i ai foi mafuaʻaga mo le Puipuia o le vevela ma manaʻomia ai le malosi faaopoopo, faʻatupuina faʻafitauli le lelei o le malosi. Ina ia foia lenei faafitauli, na fausia ai e le Iunivesite o Kalefonia, Los Angeles se mea fou semiconductor ma le maualuga tele o le vevela i le 2018, lea e aofia ai le boron arsenide ma le boron phosphide e leai se faaletonu, lea e tutusa ma mea o loʻo iai le vevela e pei o le taimane ma silikoni carbide. fua, ma sili atu i le 3 taimi le conductivity vevela.
Ia Iuni 2021, na faʻaaogaina ai e le Iunivesite o Kalefonia, Los Angeles, mea fou semiconductor e tuʻufaʻatasia ma komipiuta komipiuta maualuga-maualuga e taofiofia lelei le gaosiga o le vevela o tupe meataalo, ma faʻaleleia ai le faʻaogaina o komepiuta. O le au suʻesuʻe na faʻaofiina le boron arsenide semiconductor i le va o le vaʻa ma le vevela o le tuʻufaʻatasiga o le vevela ma le vaʻa e faʻaleleia ai le aʻafiaga o le vevela, ma faia suʻesuʻega i le faʻaogaina o le faʻaogaina o le masini moni.
Ina ua uma ona faʻapipiʻiina le boron arsenide substrate i le tele o le malosi gap gallium nitride semiconductor, na faʻamaonia ai o le faʻaogaina o le vevela o le gallium nitride / boron arsenide interface sa maualuga e pei o le 250 MW / m2K, ma o le faʻaogaina o le vevela na oʻo atu i se tulaga laʻititi. O le boron arsenide substrate o lo'o fa'aopoopoina fa'atasi ma se pu'upu'u transistor mobility eletonika maualuga maualuga e aofia ai le alumini gallium nitride/gallium nitride, ma ua fa'amaonia ai e sili atu le lelei o le fa'amama o le vevela nai lo le taimane po'o le silicon carbide.
O le vaega su'esu'e na fa'agaoioia le pu i le maualuga maualuga, ma fua le nofoaga vevela mai le vevela o le potu i le maualuga o le vevela. O faʻataʻitaʻiga faʻataʻitaʻiga o loʻo faʻaalia ai o le vevela o le vevela taimane e 137 ° C, o le carbide silicon heat sink o le 167 ° C, ma le boron arsenide heat sink e na o le 87 ° C. O le fa'aogaina lelei o le vevela o lenei atina'e e sau mai le fausaga fa'apipi'i tulaga ese o le boron arsenide ma le tu'ufa'atasiga o le fa'aoga. O le boron arsenide mea e le gata o loʻo i ai le maualuga o le vevela, ae o loʻo i ai foi se laʻititi laʻititi faʻafefeteina.
E mafai ona faʻaaogaina e pei o se vevela e maua ai le maualuga o le mana faʻaogaina o masini. O lo'o fa'amoemoe e fa'aoga i feso'ota'iga uaealesi mamao mamao, maualuga le gafatia i le lumana'i. E mafai ona faʻaaogaina i le fanua o le eletise eletise eletise poʻo le afifiina eletise.
Taimi meli: Au-08-2022